GIS設(shè)備出現(xiàn)局部放電的主要原因是其自身存在的絕緣缺陷，因?yàn)樵谏a(chǎn)、運(yùn)輸以及安裝設(shè)備的過(guò)程中難免出現(xiàn)工藝和清潔上的缺陷和差錯(cuò)，這些缺陷會(huì)影響GIS設(shè)備的可靠性，這些缺陷在電場(chǎng)作用下容易出現(xiàn)局部放電，可能導(dǎo)致GIS設(shè)備的絕緣損壞。

GIS中有可能出現(xiàn)的主要絕緣缺陷可以總結(jié)為以下幾個(gè)方面:

1、自身固有缺陷，包括由于制造不良或安裝損壞等造成的導(dǎo)體和外殼內(nèi)表面上的金屬突起，以及在固體絕緣表面上的金屬微粒。其中，金屬突起會(huì)導(dǎo)致毛刺而且毛刺較尖。在工頻狀態(tài)下是不會(huì)被擊穿的，但是在快速電壓沖擊、快速暫態(tài)過(guò)電壓條件下卻很危險(xiǎn)。

2、絕緣子在制造過(guò)程中可能產(chǎn)生的內(nèi)部空隙或是由于實(shí)驗(yàn)閃絡(luò)引起的表面痕跡，此外還包括由于金屬電極與環(huán)氧樹(shù)脂的收縮系數(shù)的不同而形成氣泡或空隙。這些GIS設(shè)備的絕緣缺陷很有可能會(huì)在GIS設(shè)備中產(chǎn)生局部放電甚至?xí)g絕緣材料，并最后導(dǎo)致絕緣擊穿。

3、傳導(dǎo)部分的接觸不良。比如說(shuō)靜電屏蔽還有其它浮動(dòng)部件。這個(gè)原因產(chǎn)生的放電可能性非常大，但是通常都易于檢測(cè)。

4、GIS的自由金屬微粒。金屬微粒是GIS中最普遍的微粒，它有積累電荷的能力。在制造、裝配以及運(yùn)行中均有可能產(chǎn)生。金屬微粒在交流電壓場(chǎng)的影響下會(huì)移動(dòng)，一般情況下運(yùn)動(dòng)與放電的可能性是隨機(jī)的。放電最可能在靠近高壓導(dǎo)體但并沒(méi)有接觸時(shí)發(fā)生，且放電可能性比為固定物的同樣微粒高10倍左右。

局部放電既是設(shè)備絕緣的劣化征兆，又是造成絕緣劣化的重要原因。因此針對(duì)GIS絕緣老化缺陷，公眾電氣研發(fā)的GIS局部放電在線監(jiān)測(cè)系統(tǒng)，本系統(tǒng)利用特高頻(UHF)法進(jìn)行運(yùn)行狀態(tài)監(jiān)測(cè)，可大大防止突發(fā)性事故的發(fā)生，有效延長(zhǎng)設(shè)備的使用壽命。